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| 3B001 | Équipements pour la fabrication de dispositifs ou de matériaux semi-conducteurs, comme suit, et leurs composants et accessoires spécialement conçus: N.B. VOIR ÉGALEMENT 2B226 a. équipements spécialement conçus pour la croissance épitaxiale, comme suit: 1. équipements conçus ou modifiés pour produire une couche de tout matériau autre que le silicium d’épaisseur uniforme avec une précision de ± 2,5 % sur une distance de 75 mm ou plus; Note: L’alinéa 3B001.a.1. inclut les équipements d’épitaxie par couche atomique (ALE). 2. réacteurs de dépôt en phase de vapeur par procédé chimique organométallique (MOCVD) conçus pour la croissance épitaxiale de semi-conducteurs composés de matériaux possédant au moins deux des éléments suivants: aluminium, gallium, indium, arsenic, phosphore, antimoine ou azote; 3. équipement de croissance épitaxiale à jet moléculaire utilisant des sources gazeuses ou solides; b. équipements conçus pour l’implantation ionique et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. non utilisé; 2. conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour les implantations d’hydrogène, de deutérium ou d’hélium; 3. capacité d’écriture directe; 4. énergie de faisceau d’au moins 65 keV et courant de faisceau d’au moins 45 mA pour une implantation à haute énergie d’oxygène dans un «substrat» de matériau semi-conducteur chauffé; ou 5. conçus et optimisés pour fonctionner à une énergie de faisceau égale ou supérieure à 20 keV, et un courant de faisceau égal ou supérieur à 10 mA pour une implantation de silicone dans un «substrat» de matériau semi-conducteur chauffé à au moins 600 °C; c. non utilisé; d. non utilisé; e. systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples, présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. des interfaces pour l’entrée et la sortie des plaquettes auxquelles sont connectés plus de deux ‘instruments de traitement de semi-conducteurs’ différents du point de vue fonctionnel, visés aux alinéas 3B001.a.1., 3B001.a.2., 3B001.a.3. ou 3B001.b., et conçus à cet effet; et 2. ayant été conçus pour former un système intégré dans un environnement sous vide pour le ‘traitement séquentiel multiple des plaquettes’; Note: L’alinéa 3B001.e. ne vise pas les systèmes automatiques robotisés de manipulation de plaquettes qui sont spécialement conçus pour le traitement parallèle de plaquettes. Notes techniques: 1. Aux fins de l’alinéa 3B001.e., on entend par ‘instruments de traitement des semi-conducteurs’ les instruments modulaires qui permettent des traitements physiques pour la production de semi-conducteurs, différents du point de vue fonctionnel, tels que le dépôt, l’implant et le traitement thermique. 2. Aux fins de l’alinéa 3B001.e., on entend par ‘traitement séquentiel multiple des plaquettes’ la capacité de traiter chaque plaquette dans divers ‘instruments de traitement des semi-conducteurs’, par exemple en transférant chaque plaquette d’un instrument à un second instrument puis à un troisième instrument avec les systèmes centraux de manipulation des plaquettes pour le chargement automatique à chambres multiples. f. équipements de lithographie, comme suit: 1. photorépéteurs d’alignement et d’exposition (réduction directe sur la plaquette) ou photorépéteurs-balayeurs (scanners) pour le traitement de plaquettes utilisant des méthodes optiques ou à rayon X, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. longueur d’onde de la source lumineuse inférieure à 193 nm; ou b. capables de produire des figures dont la dimension de l’’élément résoluble minimal’ (MRF) est égale ou inférieure à 45 nm; Note technique: La dimension de l’’élément résoluble minimal’ (MRF) est calculée à l’aide de la formule suivante: où le facteur K = 0,35. 2. équipements de lithographie par impression capables de produire des éléments égaux ou inférieurs à 45 nm; Note: L’alinéa 3B001.f.2 inclut: les outils d’impression par microcontact; les outils de gaufrage à chaud; les outils de lithographie par nanoimpression; les outils de lithographie par impression step and flash. 3. équipements spécialement conçus pour la production de masques et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. un faisceau électronique, un faisceau ionique ou un faisceau «laser» avec focalisation et balayage du faisceau; et b. présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. ayant une largeur à mi-hauteur (LMH) du spot inférieure à 65 mm et un placement d’image de moins de 17 nm (moyenne + 3 sigma); ou 2. non utilisé; 3. erreur de chevauchement pour la deuxième couche inférieure à 23 nm (moyenne + 3 sigma) sur le masque; 4. équipements conçus pour le traitement de dispositifs utilisant des méthodes d’écriture directe et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. un faisceau électronique avec focalisation et balayage du faisceau; et b. présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. une taille minimale du faisceau égale ou inférieure à 15 nm; ou 2. une erreur de chevauchement inférieure à 27 nm (moyenne + 3 sigma); g. masques ou réticules conçus pour circuits intégrés visés au paragraphe 3A001; h. masques multicouches comportant une couche à décalage de phase, non visés à l’alinéa 3B001.g. et conçus pour être utilisés par un équipement lithographique ayant une longueur d’onde de la source lumineuse inférieure à 245 nm; Note: L’alinéa 3B001.h. ne vise pas les masques multicouches comportant une couche à décalage de phase conçus pour la fabrication de dispositifs mémoire non visés par le paragraphe 3A001. N.B. Pour les masques et réticules, spécialement conçus pour les capteurs optiques, voir 6B002. i. gabarits de lithographie par impression conçus pour les circuits intégrés visés au paragraphe 3A001. j. masques de «substrat brut» comprenant une structure réfléchissante multicouches en molybdène et silicium, et présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. spécialement conçus pour la lithographie par ‘rayonnement ultraviolet extrême’ (‘EUV’); et 2. respectant la norme P37 de la SEMI. Note technique: Le ‘rayonnement ultraviolet extrême’ (‘EUV’) correspond à un spectre électromagnétique dont les longueurs d’onde sont supérieures à 5 nm et inférieures à 124 nm.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.