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| 3C005 | Matériaux à haute résistivité, comme suit: a. «substrats» de semi-conducteurs de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN), ou lingots, boules ou autres préformes de ces matières, ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C; b. «substrats» polycristallins ou «substrats» céramiques polycristallins ayant une résistivité supérieure à 10 000 ohm-cm à 20 °C et au moins une couche monocristalline non épitaxiale de silicium (Si), de carbure de silicium (SiC), de nitrure de gallium (GaN), de nitrure d’aluminium (AlN) ou de nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN) sur la surface du «substrat».

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.