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| 3E003 | Autres «technologies» pour le «développement» ou la «production» des éléments suivants: a. dispositifs micro-électroniques à vide; b. dispositifs électroniques semi-conducteurs à hétérostructure tels que les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT), transistors hétéro-bipolaires (HBT), dispositifs à puits quantique ou à super-réseaux; Note: L’alinéa 3E003.b. ne vise pas les «technologies» pour les transistors à haute mobilité d’électrons (HEMT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz et les transistors hétéro-bipolaires (HBT) fonctionnant à des fréquences inférieures à 31,8 GHz. c. dispositifs électroniques à «supraconducteurs»; d. substrats de films de diamant pour composants électroniques; e. substrats de silicium sur isolant (SOI) pour circuits intégrés dont l’isolant est le dioxyde de silicium; f. substrats de carbure de silicium pour composants électroniques; g. «dispositifs électroniques à vide» fonctionnant à des fréquences égales ou supérieures à 31,8 GHz.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.