anx_I__table__137

| 2B005 | Équipements spécialement conçus pour le dépôt, le traitement et le contrôle en cours d’opération de recouvrements, revêtements et modifications de surfaces inorganiques, comme suit, pour les substrats visés à la colonne 2, par des procédés mentionnés dans la colonne 1 du tableau suivant l’alinéa 2E003.f., leurs composants de manutention, placement, manipulation et commande automatisés spécialement conçus: a. équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé chimique (CVD), présentant toutes les caractéristiques suivantes: N.B. VOIR AUSSI LE PARAGRAPHE 2B105. 1. un procédé modifié par l’une des techniques suivantes: a. dépôt en phase vapeur par procédé chimique pulsatoire; b. déposition thermique par nucléation contrôlée (CNTD); ou c. dépôt en phase vapeur par procédé chimique assisté ou amélioré par plasma; et 2. présentant l’une des caractéristiques suivantes: a. joints rotatifs sous vide poussé (inférieur ou égal à 0,01 Pa); ou b. dispositif de commande de l’épaisseur du revêtement in situ; b. équipements de production pour l’implantation ionique, ayant des courants du faisceau de 5 mA ou plus; c. équipements de production pour le dépôt en phase vapeur par procédé physique par faisceau d’électrons (EB-PVD), comportant des systèmes d’alimentation de plus de 80 kW et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. un système de commande à «laser» du niveau du bain liquide, qui règle avec précision la vitesse d’avance du lingot; ou 2. un dispositif de surveillance de la vitesse commandé par ordinateur, fonctionnant selon le principe de la photoluminescence des atomes ionisés dans le flux en évaporation, destiné à contrôler la vitesse de dépôt d’un revêtement contenant deux éléments ou plus; d. équipements de production pour la pulvérisation de plasma, présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. fonctionnement sous atmosphère contrôlée à pression réduite (inférieure ou égale à 10 kPa, mesurée à 300 mm au-dessus de la sortie du pulvérisateur du pistolet) dans une chambre à vide capable d’évacuer l’air jusqu’à 0,01 Pa avant le processus de pulvérisation; ou 2. dispositif de commande de l’épaisseur du revêtement in situ; e. équipements de production pour le dépôt par pulvérisation cathodique pouvant avoir des densités de courant égales ou supérieures à 0,1 mA/mm2 à une vitesse de dépôt égale ou supérieure à 15 μm/heure; f. équipements de production pour le dépôt par arc cathodique, comportant une grille d’électro-aimants pour la commande de direction du spot d’arc à la cathode; g. équipements de production pour le placage ionique permettant la mesure in situ de l’une des caractéristiques suivantes: 1. épaisseur du revêtement sur le substrat et contrôle du débit; ou 2. caractéristiques optiques. Note: Le paragraphe 2B005 ne vise pas les équipements pour le dépôt chimique en phase vapeur, pour le dépôt par arc cathodique, pour le dépôt par pulvérisation cathodique, pour le placage ionique ou pour l’implantation ionique, spécialement conçus pour outils de coupe ou d’usinage.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.