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anx_I__table__203

| 3C001 | Matériaux hétéro-épitaxiés consistant en un «substrat» comportant des couches multiples empilées obtenues par croissance épitaxiale: a. silicium (Si); b. germanium (Ge); c. carbure de silicium (SiC); ou d. «composés III/V» de gallium ou d’indium. Note: L’alinéa 3C001.d. ne vise pas les «substrats» ayant une ou plusieurs couches épitaxiales de type P de GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP ou InGaAlP, indépendamment de l’ordre des éléments, excepté si la couche épitaxiale de type P se situe entre des couches de type N.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.