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| 3C002 | Résines photosensibles (résists), comme suit, et «substrats» revêtus des résines photosensibles suivantes: a. résines photosensibles (résists) pour lithographie des semi-conducteurs: 1. résines photosensibles (résists) positives adaptées (optimisées) pour l’emploi à des longueurs d’onde inférieures à 193 nm; mais égales ou supérieures à 15 nm; 2. résines photosensibles (résists) adaptées (optimisées) pour l’emploi à des longueurs d’onde inférieures à 15 nm mais supérieures à 1 nm; b. toutes résines photosensibles (résists) destinées à être utilisées sous l’effet de faisceaux électroniques ou ioniques, ayant une sensibilité de 0,01 μcoulomb/mm2 ou meilleure; c. non utilisé; d. toutes résines photosensibles (résists) optimisées pour des technologies de formation d’images de surface; e. toutes résines photosensibles (résists) conçues ou optimisées pour les équipements de lithographie par impression visés à l’alinéa 3B001.f.2 qui utilisent un procédé soit thermique soit photoréticulable.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.