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| 6A002 | Capteurs optiques ou leurs équipements et composants, comme suit: N.B. VOIR ÉGALEMENT 6A102. a. détecteurs optiques, comme suit: 1. détecteurs semi-conducteurs «qualifiés pour l’usage spatial», comme suit: Note: Aux fins de l’alinéa 6A002.a.1, les détecteurs semi-conducteurs incluent les «matrices plan focal». a. détecteurs semi-conducteurs «qualifiés pour l’usage spatial», présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 10 nm mais non supérieure à 300 nm; et 2. réponse de moins de 0,1 % par rapport à la réponse de crête pour les longueurs d’onde de plus de 400 nm; b. détecteurs semi-conducteurs «qualifiés pour l’usage spatial», présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 900 nm mais non supérieure à 1 200 nm; et 2. «constante de temps» de réponse de 95 ns ou moins; c. détecteurs semi-conducteurs «qualifiés pour l’usage spatial» ayant une réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 1 200 nm mais non supérieure à 30 000 nm; d. «matrices plan focal»«qualifiées pour l’usage spatial» ayant plus de 2 048 éléments par matrice et ayant une réponse de crête dans la gamme de longueur d’onde dépassant 300 nm mais ne dépassant pas 900 nm; 2. tubes intensificateurs d’image et leurs composants spécialement conçus, comme suit: Note: L’alinéa 6A002.a.2. ne vise pas les tubes multiplicateurs de photoélectrons sans image ayant un dispositif de détection d’électrons dans le vide spatial, uniquement limités à l’un des éléments suivants: a. une anode métallique unique; ou b. des anodes métalliques avec un espacement centre à centre supérieur à 500 μm. Note technique: La ‘multiplication de charge’ est une forme d’amplification électronique de l’image et est définie comme étant la génération de porteurs de charge à la suite d’un processus de gain d’électrons par ionisation par impact. Les capteurs de ‘multiplication de charge’ peuvent prendre la forme d’un tube intensificateur d’images, d’un détecteur à semi-conducteurs ou d’une «matrice plan focal». a. tubes intensificateurs d’image présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 400 nm mais non supérieure à 1 050 nm; 2. amplification électronique de l’image employant l’un des éléments suivants: a. une plaque à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 μm ou moins; ou b. un dispositif de détection d’électrons avec un pas de pixel non carré de 500 μm ou moins, spécialement conçu ou modifié pour obtenir une ‘multiplication de charge’ autrement que par une plaque à microcanaux; et 3. une des photocathodes suivantes: a. photocathodes multialcalines (par exemple S-20 et S-25) ayant une sensibilité lumineuse excédant 350 μA/lm; b. b. photocathodes à l’arséniure de gallium (GaAs) ou à l’arséniure de gallium-indium (GaInAs); ou c. autres photocathodes à semi-conducteurs «composés III-V» ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale supérieure à 10 mA/W; b. tubes intensificateurs d’image présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. réponse de crête dans la gamme de longueur d’onde dépassant 1 050 nm mais ne dépassant pas 1 800 nm; 2. amplification électronique de l’image employant l’un des éléments suivants: a. une plaque à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 μm ou moins; ou b. un dispositif de détection d’électrons avec un pas de pixel non carré de 500 μm ou moins, spécialement conçu ou modifié pour obtenir une ‘multiplication de charge’ autrement que par une plaque à microcanaux; et 3. des photocathodes à semi-conducteurs «composés III-V» (par ex., GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale supérieure à 15 mA/W; c. composants spécialement conçus, comme suit: 1. plaques à microcanaux présentant un espacement des trous (espacement centre à centre) de 12 μm ou moins; 2. un dispositif de détection d’électrons avec un pas de pixel non carré de 500 μm ou moins, spécialement conçu ou modifié pour obtenir une ‘multiplication de charge’ autrement que par une plaque à microcanaux; 3. des photocathodes à semi-conducteurs «composés III-V» (par ex., GaAs ou GaInAs) et photocathodes à électrons transférés; Note: L’alinéa 6A002.a.2.c.3. ne vise pas les photocathodes à semi-conducteurs composés conçus pour atteindre une «sensibilité d’énergie radiante» maximale: a. de 10 mA/W ou moins à la réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde dépassant 400 nm, mais ne dépassant pas 1 050 nm; ou b. de 15 mA/W ou moins à la réponse de crête dans la gamme de longueurs d’onde dépassant 1 050 nm, mais ne dépassant pas 1 800 nm. 3. «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial», comme suit: N.B. Les «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» à ‘microbolomètre’ ne sont visées qu’à l’alinéa 6A002.a.3.f. Note technique: Les groupes de détecteurs à éléments multiples linéaires ou mosaïque sont appelés «matrices plan focal». Note 1: L’alinéa 6A002.a.3. comprend les réseaux photoconducteurs et les réseaux photovoltaïques. Note 2: L’alinéa 6A002.a.3. ne vise pas: a. les cellules photoconductrices encapsulées à plusieurs éléments (pas plus de 16 éléments) utilisant soit du sulfure de plomb soit du séléniure de plomb; b. les détecteurs pyroélectriques, utilisant un des matériaux ci-après: 1. sulfate de triglycine et variantes; 2. titanate de zirconium-lanthane-plomb et variantes; 3. tantalate de lithium; 4. fluorure de polyvinylidène et variantes; ou 5. niobate de strontium-baryum et variantes; c. les «matrices plan focal» spécialement conçues ou modifiées pour obtenir une ‘multiplication de charge’ et limitées par la conception à une «sensibilité d’énergie radiante» maximale de 10 mA/W ou moins pour les longueurs d’onde de plus de 760 nm, présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. comportant un mécanisme de limite de la réponse conçu pour ne pas être supprimé ou modifié; et 2. une des caractéristiques suivantes: a. le mécanisme de limite de la réponse est intégré à l’élément détecteur ou est combiné à celui-ci; ou b. la «matrice plan focal» ne fonctionne que si le mécanisme de limite de la réponse est en place. Note technique: Un mécanisme de limite de la réponse intégré à l’élément détecteur est conçu pour ne pas être supprimé ou modifié sans rendre le détecteur inapte au fonctionnement. d. les réseaux de thermopiles comprenant moins de 5 130 éléments. Note technique: La ‘multiplication de charge’ est une forme d’amplification électronique de l’image et est définie comme étant la génération de porteurs de charge à la suite d’un processus de gain d’électrons par ionisation par impact. Les capteurs de ‘multiplication de charge’ peuvent prendre la forme d’un tube intensificateur d’images, d’un détecteur à semi-conducteurs ou d’une «matrice plan focal». a. «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 900 nm mais non supérieure à 1 050 nm; et 2. une des caractéristiques suivantes: a. ayant une «constante de temps» de réponse de moins de 0,5 ns; ou b. spécialement conçus ou modifiés pour obtenir une ‘multiplication de charge’ et ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale de plus de 10 mA/W; b. «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 1 050 nm mais non supérieure à 1 200 nm; et 2. une des caractéristiques suivantes: a. «constante de temps» de réponse de 95 ns ou moins; ou b. spécialement conçus ou modifiés pour obtenir une ‘multiplication de charge’ et ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale de plus de 10 mA/W; c. «matrices plan focal» non linéaires (à deux dimensions) non «qualifiées pour l’usage spatial» comportant des éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 1 200 nm mais non supérieure à 30 000 nm; N.B. Les «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» à ‘microbolomètre’ à base de silicium ou d’un autre matériau ne sont visées qu’à l’alinéa 6A002.a.3.f. d. «matrices plan focal» linéaires (à une dimension) non «qualifiées pour l’usage spatial» présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 1 200 nm mais non supérieure à 3 000 nm; et 2. une des caractéristiques suivantes: a. un ratio entre la dimension du ‘sens de balayage’ de l’élément détecteur et la dimension du ‘sens de balayage transversal’ de l’élément détecteur inférieur à 3,8; ou b. un traitement du signal dans les éléments du capteur; Note: L’alinéa 6A002.a.3.d. ne vise pas les «matrices plan focal» (ne dépassant pas 32 éléments) comportant des éléments détecteurs limités uniquement à du germanium. Note technique: Aux fins de l’alinéa 6A002.a.3.d., le ‘sens de balayage transversal’ est défini comme l’axe parallèle au réseau linéaire des éléments détecteurs et le ‘sens de balayage’ est défini comme l’axe perpendiculaire au réseau linéaire des éléments détecteurs. e. «matrices plan focal» linéaires (à une dimension) non «qualifiées pour l’usage spatial» comportant des éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 3 000 nm mais non supérieure à 30 000 nm; f. «matrices plan focal» à infrarouges non linéaires (à deux dimensions) non «qualifiées pour l’usage spatial» à base d’un matériau à ‘microbolomètre’ comportant des éléments individuels dont la réponse sans filtrage se situe dans la gamme de longueurs d’onde égale ou supérieure à 8 000 nm mais non supérieure à 14 000 nm; Note technique: Aux fins de l’alinéa 6A002.a.3.f., on entend par ‘microbolomètre’ un capteur d’imagerie thermique qui, du fait d’un changement de température dans le capteur dû à l’absorption de rayons infrarouges, est utilisé pour générer un signal utilisable quel qu’il soit. g. «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» présentant toutes les caractéristiques suivantes: 1. éléments individuels dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 400 nm mais non supérieure à 900 nm; 2. spécialement conçus ou modifiés pour obtenir une ‘multiplication de charge’ et ayant une «sensibilité d’énergie radiante» maximale de plus de 10 mA/W pour des longueurs d’onde dépassant 760 nm; et 3. comportant plus de 32 éléments; b. «capteurs d’imagerie monospectraux» et «capteurs d’imagerie multispectraux», conçus à des fins de télédétection, et présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. champ de vision instantané de moins de 200 μrad (microradians); ou 2. prévus pour fonctionner dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 400 nm mais non supérieure à 30 000 nm et présentant toutes les caractéristiques suivantes: a. fournissant une sortie de données d’imagerie en format numérique; et b. présentant l’une des caractéristiques suivantes: 1. «qualifiés pour l’usage spatial»; ou 2. conçus pour l’usage aéronautique embarqué et utilisant des détecteurs autres qu’au silicium et ayant un champ de vision instantané de moins de 2,5 mrad (milliradians); Note: L’alinéa 6A002.b.1. ne vise pas les «capteurs d’imagerie monospectraux» dont la réponse de crête se situe dans la gamme de longueurs d’onde supérieure à 300 nm mais non supérieure à 900 nm et qui ne comportent que l’un des détecteurs non «qualifiés pour l’usage spatial» ou «matrices plan focal» non «qualifiées pour l’usage spatial» suivants: 1. dispositifs à couplage de charge (CCD) non conçus ou modifiés pour obtenir une ‘multiplication de charge’; ou 2. dispositifs semi-conducteurs à oxyde de métal complémentaire (CMOS) non conçus ou modifiés pour obtenir une ‘multiplication de charge’. c. matériels d’imagerie à ‘vision directe’ comportant l’un des éléments suivants: 1. des tubes intensificateurs d’image visés à l’alinéa 6A002.a.2.a. ou à l’alinéa 6A002.a.2.b.; 2. des «matrices plan focal» visées à l’alinéa 6A002.a.3; ou 3. des détecteurs à semi-conducteurs visés à l’alinéa 6A002.a.1.; Note technique: Les termes ‘vision directe’ se réfèrent à un matériel d’imagerie qui présente à un observateur humain une image visible sans la convertir en un signal électronique pour affichage sur écran de télévision et qui ne peut enregistrer ou emmagasiner l’image par des moyens photographiques, électroniques ou autres. Note: L’alinéa 6A002.c. ne vise pas les équipements suivants, lorsqu’ils contiennent des photocathodes autres qu’à l’arséniure de gallium (AsGa) ou à l’arséniure de gallium-indium (AsInGa): a. systèmes servant à détecter des présences indésirables et à donner l’alarme dans des locaux industriels ou civils, systèmes de contrôle ou de comptage de la circulation ou des déplacements dans l’industrie; b. équipements médicaux; c. équipements industriels utilisés pour l’examen, le tri ou l’analyse des propriétés des matériaux; d. détecteurs de flamme pour fours industriels; e. équipements spécialement conçus pour l’usage en laboratoire. d. composants spéciaux pour capteurs optiques, comme suit: 1. systèmes de refroidissement cryogéniques «qualifiés pour l’usage spatial»; 2. systèmes de refroidissement cryogéniques non «qualifiés pour l’usage spatial» ayant une température de la source de refroidissement inférieure à 218 K (-55 °C), comme suit: a. à cycle fermé et ayant une valeur spécifiée du temps moyen (observé) jusqu’à défaillance (MTTF) ou du temps moyen de bon fonctionnement (MTBF) dépassant 2 500 heures; b. mini-refroidisseurs Joule-Thomson à autorégulation à diamètres extérieurs d’alésage de moins de 8 mm; 3. fibres de détection optiques spécialement fabriquées dans leur composition ou leur structure, ou modifiées par revêtement, de façon à être sensibles aux effets acoustiques, thermiques, inertiels, électromagnétiques ou aux radiations nucléaires; Note: L’alinéa 6A002.d.3. ne vise pas les fibres de détection optiques spécialement conçues à des fins de détection lors des forages. e. non utilisé. f. ‘circuits intégrés de lecture’ (‘ROIC’) spécialement conçus pour les «matrices plan focal» visées à l’alinéa 6A002.a.3. Note: L’alinéa 6A002.f. ne vise pas les ‘circuits intégrés de lecture’ spécialement conçus pour les applications automobiles civiles. Note technique: Un ‘circuit intégré de lecture’ (‘ROIC’) est un circuit conçu pour être intégré ou connecté à une «matrice plan focal», et être utilisé pour lire (c’est-à-dire extraire et enregistrer) les signaux produits par pixels. Au minimum, le ‘ROIC’ lit la charge des pixels en extrayant la charge et en appliquant une fonction de multiplexage de manière à conserver les informations relatives de position dans l’espace et d’orientation des éléments détecteurs pour traitement à l’intérieur ou à l’extérieur du ‘ROIC’.

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Source: EUR-Lex (Cellar) · retrieved 2026-10-27 · Text as adopted (Official Journal); later amendments are not incorporated in this text.